Especificaciones
Tecnologia
HEXFET
Intensidad Nominal
27 A
Voltaje
55 V
Resistencia en Conmutación Rds(on)
0.045 Ohm (45mOhm)
Potencia
68 W
Voltaje de Puerta
+/- 20V
Rango de Temperatura
-55ºC / 175ºC